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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

7MBI75N-060 +BOM

P607 Insulated Gate Bipolar Transistor capable of handling 75A current

Hersteller:

Fuji Electric Co Ltd
Herstellerteil #:

7MBI75N-060
Datenblatt:

7MBI75N-060 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

22
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

75 A

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

7MBI75N-060 Allgemeine Beschreibung

This IPM module comprises six insulated gate bipolar transistors (IGBTs) and six fast recovery diodes, meticulously arranged in a three-phase bridge configuration. This innovative setup enables seamless switching of high currents and voltages in motor drive and power conversion systems. Additionally, the inclusion of a built-in thermistor allows for real-time temperature monitoring, safeguarding against overheating and extending the module's lifespan

Hauptmerkmale

Compact Power Solution
Efficient Motor Control
High Speed Performance
Precise Power Conversion
Rapid Temperature Response
Safe and Reliable Operation

Anwendung

Industrial motor drives
Wind and solar inverters
7MBI75N-060 module

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	22
ECCN Code	EAR99	Collector Current-Max (IC)	75 A
Collector-Emitter Voltage-Max	600 V	Configuration	COMPLEX
JESD-30 Code	R-XUFM-X22	Number of Elements	7
Number of Terminals	22	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	320 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	UNSPECIFIED
Terminal Position	UPPER	Transistor Element Material	SILICON
VCEsat-Max	2.8 V

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