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Siehe Technische Spezifikationen

NTE159M +BOM

TO18 package PNP bipolar transistor with a power dissipation of 1.8W

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

NTE159M
Datenblatt:

NTE159M Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.6V @ 50mA, 500mA

NTE159M Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1.8 W Through Hole TO-18

Spezifikationen

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	1.8 W	Frequency - Transition	200MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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