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Description of NTE2018: This device is a Power Bipolar Transistor characterized by a 0
18-DIP(0.300",7.62mm)Hersteller:
Herstellerteil #:
NTE2018
Datenblatt:
Transistor Type:
8 NPN Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):
600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
1.6V @ 350mA, 500A
EDA/CAD Modelle:
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Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Transistor Type | 8 NPN Darlington | Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 350mA, 500A |
Power - Max | 1W | Operating Temperature | -20°C ~ 85°C (TA) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | NTE20 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.