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Siehe Technische Spezifikationen

NTE2342 +BOM

NTE2342 is a Trans Darlington PNP transistor capable of handling up to 80 volts and 1 ampere with a power dissipation of 1000 milliwatts

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

NTE2342
Datenblatt:

NTE2342 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):

1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.8V @ 1mA, 1A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTE2342

NTE2342 Allgemeine Beschreibung

Don't settle for less when it comes to your amplifier and switching needs - choose the NTE2342 transistor for top-notch performance. With its high collector current rating and collector-emitter voltage rating, this silicon NPN transistor delivers consistent results. Its compact TO-92 package and transition frequency (ft) of 100MHz make it a versatile option for high-speed switching applications. Trust in the NTE2342 transistor for low noise, low distortion, and reliable operation in all your electronic projects

Spezifikationen

Transistor Type	PNP - Darlington	Current - Collector (Ic) (Max)	1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 500mA, 10V
Power - Max	1 W	Frequency - Transition	200MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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