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Siehe Technische Spezifikationen

NTE2347 +BOM

Transistor, Bipolar, Si, NPN, General Purpose, Power, VCEO 80V, IC 5A, PD 7W, TO-39 | NTE Electronics Inc. NTE2347

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

NTE2347
Datenblatt:

NTE2347 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1V @ 500mA, 5A

NTE2347 Allgemeine Beschreibung

With a low saturation voltage and high DC current gain, the NTE2347 is a top choice for demanding applications where efficiency and performance are key. Its built-in freewheeling diode provides inductive load protection, guaranteeing reliable operation in switching circuits. Additionally, its high-speed switching capability makes it perfect for high-frequency applications that require quick and precise performance

Spezifikationen

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 2A, 2V
Power - Max	1 W	Frequency - Transition	50MHz
Operating Temperature	200°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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