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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NTE2356 +BOM

Described as a small signal bipolar transistor

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

NTE2356
Datenblatt:

NTE2356 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max):

100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Resistor - Base (R1):

10 kOhms
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTE2356

NTE2356 Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92S

Spezifikationen

Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	200 MHz	Power - Max	300 mW
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	NTE23

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