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NTE2381 +BOM

Unipolar P-MOSFET transistor designed for operation at voltages as low as -500V, with a continuous drain current of -2

NTE2381 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 500 V 2.7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220

Hauptmerkmale

  • NTE23A1: High power dual OP amp
  • Operates from -40°C to 105°C
  • High output current and gain bandwidth

Anwendung

  • Automotive sector for environmental monitoring
  • Industrial control for temperature monitoring

Spezifikationen

ECCN (US) EAR99 Part Status Active
HTS 8541.29.00.95 Automotive No
PPAP No Category Power MOSFET
Material Si Configuration Single
Process Technology TMOS Channel Mode Enhancement
Channel Type P Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 500 Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 5 Maximum Continuous Drain Current (A) 2.7
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100 Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 4900@10V Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 18@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 18 Typical Gate to Drain Charge (nC) 9.2
Typical Gate to Source Charge (nC) 3.6 Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 510@25V
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 9.5@25V Minimum Gate Threshold Voltage (V) 3
Typical Output Capacitance (pF) 70 Maximum Power Dissipation (mW) 85000
Typical Fall Time (ns) 100 Typical Rise Time (ns) 120
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 80 Typical Turn-On Delay Time (ns) 35
Minimum Operating Temperature (°C) -65 Maximum Operating Temperature (°C) 150
Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm) 3900@10V Maximum Positive Gate Source Voltage (V) 30
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) 10.8 Typical Reverse Recovery Time (ns) 270
Maximum Diode Forward Voltage (V) 2.7 Mounting Through Hole
PCB changed 3 Tab Tab
Pin Count 3 Lead Shape Through Hole

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