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NTE2399 +BOM
The NTE2399 transistor is a unipolar N-MOSFET with a 1kV voltage rating and a 2A current rating
TO-220-3-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
NTE2399
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Datenblatt:
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FET Type:
N-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
1000 V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.1A (Tc)
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 5957 Stck
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NTE2399 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Spezifikationen
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1.9A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
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