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Siehe Technische Spezifikationen

NTE4153NT1G +BOM

Suitable for DC-DC converters, motor drives, and power supplies requiring high curren

Hersteller:

ONSEMI
Herstellerteil #:

NTE4153NT1G
Datenblatt:

NTE4153NT1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

463C-02
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

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Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

NTE4153NT1G Allgemeine Beschreibung

The Onsemi NTE4153NT1G N Channel Mosfet is a versatile component that offers a high level of performance in a compact package. With a 20V drain source voltage and a continuous drain current of 915mA, this Mosfet is well-suited for applications requiring efficient power management. The surface mount mounting option facilitates easy integration into circuit designs, saving valuable board space. The Rds(On) test voltage of 4.5V indicates low resistance when the Mosfet is conducting, resulting in minimal power loss during operation. Additionally, the device has a power dissipation rating of 300mW, ensuring reliable performance in various operating conditions. As a RoHS compliant component, the NTE4153NT1G upholds environmental standards and is suitable for environmentally conscious projects

Hauptmerkmale

Magnetic Sensor Integrated
Smart Grid Compliance
Silicon Valley Design
Ultra Low Dropout Voltage
Enhanced EMI Filter
Robust Overcurrent Protection

Anwendung

Home Automation
Smart Thermostats
Security Systems

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	463C-02	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	3000	ON Target	N
Channel Polarity	N-Channel	Configuration	Single
V(BR)DSS Min (V)	20	VGS Max (V)	6
VGS(th) Max (V)	1.1	ID Max (A)	0.9
PD Max (W)	0.33	RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)	275
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	230	Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	1.82
Ciss Typ (pF)	110	Pricing ($/Unit)	$0.0632Sample

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