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Siehe Technische Spezifikationen

NTJD5121NT2G +BOM

Mosfet Array 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NTJD5121NT2G
Datenblatt:

NTJD5121NT2G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

419B-02
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTJD5121NT2G

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

NTJD5121NT2G Allgemeine Beschreibung

Additionally, the NTJD5121NT2G boasts impressive features such as fast switching speed and a low gate charge, enhancing overall performance by reducing switching losses. The gate-source voltage (Vgs) of ±20V allows for compatibility with a wide array of drive circuits, making it a versatile choice for different applications. Housed in a compact DPAK package, this transistor is easy to mount on circuit boards, further adding to its practicality and convenience in use

Hauptmerkmale

Ergonomic Design Concept
User-Friendly Interface
Compact and Lightweight Body
Durable and Rugged Structure
Easy to Handle and Operate

Anwendung

Power Management IC
High Efficiency
Voltage Regulator

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	419B-02
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

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