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NTMFS5C430NLT1G +BOM

Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

  • Hersteller:

    onsemi

  • Herstellerteil #:

    NTMFS5C430NLT1G

  • Datenblatt:

    NTMFS5C430NLT1G Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Pbfree Code:

    Yes

  • Part Life Cycle Code:

    Active

  • Reach Compliance Code:

    not_compliant

  • ECCN Code:

    EAR99

NTMFS5C430NLT1G Allgemeine Beschreibung

Product NTMFS5C430NLT1G is a MOSFET designed for high power applications, specifically N-channel with a continuous drain current of 200A and a drain-source voltage rating of 40V. With an on-resistance of 0.0012ohm and a threshold voltage of 2V, this MOSFET is suitable for high efficiency power management systems

Hauptmerkmale

  • High voltage withstand capability
  • Low noise operation
  • Robust against Power Supply Noise

Anwendung

  • Surge Protector Devices
  • Electric Vehicle Chargers
  • Uninterruptible Power Supplies

Spezifikationen

Source Content uid NTMFS5C430NLT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 67 Weeks
Date Of Intro 2016-02-26 Avalanche Energy Rating (Eas) 493 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V Drain Current-Max (ID) 200 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0022 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 144 pF JESD-30 Code R-PDSO-F5
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 110 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 900 A Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Element Material SILICON Turn-off Time-Max (toff) 86 ns
Turn-on Time-Max (ton) 301 ns

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