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Siehe Technische Spezifikationen

NVBLS0D7N06C +BOM

60V 470A 0.56mΩ@10V,80A 314W 2.8V@661uA N Channel H-PSOF-8L MOSFETs ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

NVBLS0D7N06C
Datenblatt:

NVBLS0D7N06C Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NVBLS0D7N06C

NVBLS0D7N06C Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 54A (Ta), 470A (Tc) 4.2W (Ta), 314W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF

Hauptmerkmale

Multicore Processor Capability
High Speed Data Transfer
Symmetric Multiprocessing
Advanced Error Correction
Low Latency Real Time Processing
Secure Boot and Firmware Protection

Anwendung

Compact Power Conversion Unit
Advanced Technology Inverter

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	470 A
Rds On - Drain-Source Resistance	750 uOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	170 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	314 W	Channel Mode	Enhancement
Qualification	AEC-Q101	Series	NVBLS0D7N06C
Configuration	Single	Fall Time	105 ns
Forward Transconductance - Min	310 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	57 ns	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	146 ns	Typical Turn-On Delay Time	37 ns

Servicerichtlinien und andere

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