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Siehe Technische Spezifikationen

NVD5C688NLT4G +BOM

Single N-Channel Power MOSFET 60V, 17A, 27.4mΩ

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NVD5C688NLT4G
Datenblatt:

NVD5C688NLT4G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

369C
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NVD5C688NLT4G

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Tel: +852 95804164

NVD5C688NLT4G Allgemeine Beschreibung

Elevate your automotive designs with the NVD5C688NLT4G Automotive Power MOSFET, a high-performing component engineered for efficiency and reliability. Housed in a compact DPAK package, this MOSFET is designed to optimize space utilization while delivering superior thermal performance for enhanced durability. Its AEC-Q101 qualification and PPAP capability make it a trusted choice for automotive applications, guaranteeing compliance with stringent industry requirements. With the NVD5C688NLT4G, you can be confident in the performance and longevity of your automotive systems

Hauptmerkmale

Excellent reliability
Minimizes electromagnetic radiation
Achieves high power density

Anwendung

Ignition system
Valve control
Fuel injector

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	369C
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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