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Dual N−Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
SOT-363Hersteller:
Herstellerteil #:
NVJD5121NT1G
Datenblatt:
Series:
Automotive, AEC-Q101
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:
2 N-Channel (Dual)
Drain To Source Voltage (Vdss):
60V
EDA/CAD Modelle:
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The NVJD5121NT1G is a top-of-the-line Automotive Power MOSFET that caters to low power applications. Boasting a 60V voltage rating, 295mA current rating, and 1.6 Ω on-state resistance, this dual N-Channel SC−88 MOSFET guarantees efficient power delivery. Its ESD protection and logic level compatibility further enhance its suitability for a wide range of automotive applications. What's more, the MOSFET is AEC-Q101 Qualified and PPAP capable, attesting to its reliability and performance in demanding automotive environments. Compact yet powerful, the NVJD5121NT1G is the go-to choice for automotive designers seeking to achieve optimal efficiency and performance
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays | Series | Automotive, AEC-Q101 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | - | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 295mA | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 20V | Power - Max | 250mW |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | NVJD5121 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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