Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PE507BA +BOM

P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET

Hersteller:

NIKO SEMICONDUCTOR CO LTD
Herstellerteil #:

PE507BA
Datenblatt:

PE507BA Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Contact Manufacturer
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

87 mJ
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PE507BA

Hauptmerkmale

High safety, Self-healing and Self-protecting function built-in
Long product life, High reliability
Low loss, Low ESR
Flame retardant (Case and sealing resin)
RoHS directive compliant

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	87 mJ
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (ID)	10 A	Drain-source On Resistance-Max	0.014 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	S-PDSO-F8
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	50 A	Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..