Bezahlverfahren
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NPN Bipolar Junction Transistor 40V 0.6A
SOT-23-3Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Herstellerteil #:
PMBT2222A,215
Datenblatt:
Part Life Cycle Code:
Active
Pin Count:
3
Reach Compliance Code:
compliant
ECCN Code:
EAR99
EDA/CAD Modelle:
Bitte füllen Sie das kurze Formular unten aus und wir werden Ihnen umgehend ein Angebot zukommen lassen..
NPN switching transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Source Content uid | PMBT2222A,215 | Part Life Cycle Code | Active |
Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Date Of Intro | 1997-09-01 |
Additional Feature | HIGH CURRENT DRIVER | Application | SWITCHING |
Configuration | SINGLE | DC Current Gain-Min (hFE) | 40 |
JEDEC-95 Code | TO-236AB | JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | NPN | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Element Material | SILICON | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | NPN |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V | Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
Maximum DC Collector Current | 600 mA | Pd - Power Dissipation | 250 mW |
Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Continuous Collector Current | 600 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 | DC Current Gain hFE Max | 300 |
Height | 1 mm | Length | 3 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Width | 1.4 mm | Part # Aliases | 933821790215 |
Unit Weight | 0.000265 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
50+ | $0,014 | $0,70 |
500+ | $0,011 | $5,50 |
3000+ | $0,009 | $27,00 |
6000+ | $0,008 | $48,00 |
24000+ | $0,008 | $192,00 |
51000+ | $0,007 | $357,00 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an
[email protected],
oder füllen Sie das untenstehende Formular aus, um ein Angebot für PMBT2222A,215 zu erstellen, garantierte Angebote zurück innerhalb
12 Std.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren