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Siehe Technische Spezifikationen

PMGD175XNEAX

Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A Automotive 6-Pin TSSOP

Hersteller:

Nexperia USA Inc.
Herstellerteil #:

PMGD175XNEAX
Datenblatt:

PMGD175XNEAX Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss):

30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

900mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

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PMGD175XNEAX Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 30V 900mA (Ta) 390mW Surface Mount 6-TSSOP

Spezifikationen

Series	-	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)	FET Feature	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	252mOhm @ 900mA, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.65nC @ 4.5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	81pF @ 15V
Power - Max	390mW	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	PMGD175

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