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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PMV30XPEAR +BOM

20 V, P-channel Trench MOSFET

Hersteller:

Nexperia USA Inc.
Herstellerteil #:

PMV30XPEAR
Datenblatt:

PMV30XPEAR Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
Application:

SWITCHING
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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PMV30XPEAR Allgemeine Beschreibung

The PMV30XPEAR is a compact yet powerful P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor built using cutting-edge Trench MOSFET technology. Housed in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package, this transistor offers high performance in a small form factor. Its efficient design allows for optimal power management and control in various electronic applications

Hauptmerkmale

Ruggedized package design
Withstand harsh environments
Excellent thermal performance
Low power consumption mode

Anwendung

Current limiter
Temperature sensor
Voltage regulator

Spezifikationen

Source Content uid	PMV30XPEAR	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
Application	SWITCHING	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-236AB
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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