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Siehe Technische Spezifikationen

PMV65XP +BOM

TRANSISTOR 3900 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PMV65XP
Datenblatt:

PMV65XP Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PMV65XP

PMV65XP Allgemeine Beschreibung

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Hauptmerkmale

Low threshold voltage
Low on-state resistance
Trench MOSFET technology

Anwendung

Low power DC-to-DC converters
Load switching
Battery management
Battery powered portable equipment

Spezifikationen

Source Content uid	PMV65XP	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	LOW THRESHOLD	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	20 V	Drain Current-Max (ID)	3.9 A
Drain-source On Resistance-Max	0.076 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-236AB	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	1.92 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Tin (Sn)
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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