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PMDPB55XP,115 +BOM

20 V, dual P-channel Trench MOSFET

PMDPB55XP,115 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, DUAL P-CH, 20V, SOT1118; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -4.5A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs

Nexperia Semiconductor (NXP) Inventar

Hauptmerkmale

  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
  • Exposed drain pad for excellent thermal conduction
Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

  • Charging switch for portable devices
  • DC/DC converters
  • Small brushless DC motor drive
  • Power management in battery-driven portables
  • Hard disc and computing power management
Nexperia Semiconductor (NXP) Inventar

Spezifikationen

feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 6 feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold No

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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