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Siehe Technische Spezifikationen

PMV37EN2R +BOM

30 V, N-channel Trench MOSFET

Hersteller:

Nexperia Semiconductor (NXP)
Herstellerteil #:

PMV37EN2R
Datenblatt:

PMV37EN2R Datenblatt (PDF)
Feature-packaging:

Tape and Reel
Feature-pin-count:

3
Feature-cecc-qualified:

No
Feature-military:

No
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PMV37EN2R

PMV37EN2R Allgemeine Beschreibung

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Hauptmerkmale

Logic level compatible
Very fast switching
Trench MOSFET technology
Enhanced power dissipation capability of 1115 mW

Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

Relay driver
High-speed line driver
Low-side load switch
Switching circuits

Spezifikationen

feature-packaging	Tape and Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	Yes
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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