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Siehe Technische Spezifikationen

PMBTA45,215 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 500 V 150 mA 35MHz 300 mW Surface Mount TO-236AB

Hersteller:

Nexperia Semiconductor (NXP)
Herstellerteil #:

PMBTA45,215
Datenblatt:

PMBTA45,215 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

500 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PMBTA45,215

PMBTA45,215 Allgemeine Beschreibung

NPN high-voltage low V transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9050T

Hauptmerkmale

High voltage
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain (hFE) at high IC

Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

Electronic ballasts
LED driver for LED chain module
LCD backlighting
Flyback converters
Hook switch for wired telecom
Switch Mode Power Supply (SMPS)

Spezifikationen

Product Category:	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style:	SMD/SMT
Transistor Polarity:	NPN	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	500 V	Collector- Base Voltage VCBO:	500 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage:	65 mV
Maximum DC Collector Current:	150 mA	Pd - Power Dissipation:	300 mW
Gain Bandwidth Product fT:	35 MHz	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Qualification:	AEC-Q101
Packaging:	MouseReel	Continuous Collector Current:	150 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	50	DC Current Gain hFE Max:	100
Height:	1 mm	Length:	3 mm
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	Transistors	Technology:	Si
Width:	1.4 mm	Part # Aliases:	934063606215
Unit Weight:	0.000284 oz

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