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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PN4392 +BOM

Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Box

Hersteller:

Vishay Intertechnology, Inc
Herstellerteil #:

PN4392
Datenblatt:

PN4392 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS):

30 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):

25 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id:

2 V @ 1 nA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PN4392

PN4392 Allgemeine Beschreibung

TRANSISTOR, JFET, N, TO-92; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:25mA to 75mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:5V; Power Dissipation Pd:625mW; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Idss Max:75mA; Current Idss Min:25mA; Package / Case:TO-92; Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Ptot Max:625mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel

Vishay Intertechnology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsJFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	30 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	25 mA @ 20 V	Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	2 V @ 1 nA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14pF @ 20V	Resistance - RDS(On)	60 Ohms
Power - Max	625 mW	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	PN439
feature-material		feature-channel-type	N
feature-configuration	Single	feature-maximum-drain-source-voltage-v
feature-maximum-gate-source-voltage-v	-30	feature-maximum-drain-gate-voltage-v	30
feature-maximum-continuous-drain-current-ma		feature-maximum-power-dissipation-mw	625
feature-packaging	Box	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	No
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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