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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PN3563_Q +BOM

Robust NPN BJT for reliable radio frequency signal amplification and switching

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

PN3563_Q
Datenblatt:

PN3563_Q Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

15 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PN3563_Q

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen PN3563_Q-Treiber von onsemi an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung PN3563_Q.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	15 V	Collector- Base Voltage VCBO	30 V
Emitter- Base Voltage VEBO	2 V	Maximum DC Collector Current	50 mA
Pd - Power Dissipation	350 mW	Gain Bandwidth Product fT	1.5 GHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	PN3563	DC Collector/Base Gain hfe Min	20
Height	5.33 mm	Length	5.2 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.19 mm
Unit Weight	0.008466 oz

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