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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 1 A 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
TO-92-3Hersteller:
onsemi
Herstellerteil #:
PN2222ABU
Datenblatt:
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
NPN
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
40 V
EDA/CAD Modelle:
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Designed for versatility, the PN2222ABU NPN Bipolar Transistor is a must-have for electronics enthusiasts and professionals alike. Its compact TO-92 package offers convenience in installations for both medium power and general applications. Count on this transistor to deliver consistent performance and reliability in all your linear and switching projects. When seeking a replacement part, the PN2222A is the go-to active part number that ensures compatibility and ease of use
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V | Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A | Pd - Power Dissipation | 625 mW |
Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | PN2222A |
Continuous Collector Current | 1 A | DC Current Gain hFE Max | 300 |
Height | 4.7 mm | Length | 4.7 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 10000 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Width | 3.93 mm | Unit Weight | 0.007055 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
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1000+ $0,587
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