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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PZT2222AT1G +BOM

High-gain transistor for automotive applicatio

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

PZT2222AT1G
Datenblatt:

PZT2222AT1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

0.0318
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PZT2222AT1G

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

PZT2222AT1G Allgemeine Beschreibung

With its excellent electrical characteristics and robust construction, the PZT2222AT1G is a trusted choice for engineers and designers seeking a dependable NPN transistor for their projects. Its wide operating temperature range, high transit frequency, and low power dissipation make it suitable for demanding environments and energy-efficient designs. Whether used in consumer electronics, industrial equipment, or automotive systems, this transistor delivers consistent performance and long-term reliability

Hauptmerkmale

PNP Complement is PZT2907AT1
The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow.
SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
Available in 12 mm tape and reel Use PZT2222AT1 to order the 7 inch/1000 unit reel. Use PZT2222AT3 to order the 13 inch/4000 unit reel. BASE 1
Pb-Free Packages are Available
S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	0.0318	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	1000	ON Target	N
Polarity	NPN	Type	General Purpose
VCE(sat) Max (V)	1	IC Cont. (A)	0.6
VCEO Min (V)	40	VCBO (V)	75
VEBO (V)	6	VBE(sat) (V)	2
hFE Min	100	hFE Max	300
fT Min (MHz)	300	PTM Max (W)	1.5
Pricing ($/Unit)	$0.0616Sample

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