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Siehe Technische Spezifikationen

PZT651T1G +BOM

Bipolar Transistor PZT651T1G: Offers 60V voltage rating

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

PZT651T1G
Datenblatt:

PZT651T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

0.0318
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Mounting Style:

SMD/SMT
EDA/CAD Modelle:

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PZT651T1G Allgemeine Beschreibung

The PZT651T1G is a versatile NPN Bipolar Transistor perfect for a range of industrial and consumer applications. Its robust design makes it ideal for environments where reliability and performance are essential. The SOT-223 package ensures easy installation and compatibility with medium power surface mount applications

Hauptmerkmale

Highly Scalable Architecture
Robust Data Storage Capacity
Fast Boot Time Guarantee

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	0.0318
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	2 A	Pd - Power Dissipation	800 mW
Gain Bandwidth Product fT	75 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	PZT651
Continuous Collector Current	2 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	75
Height	1.57 mm	Length	6.5 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.5 mm	Unit Weight	0.003951 oz

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