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QM3816N6 +BOM

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0073ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN-8

Hersteller:

UPI SEMICONDUCTOR CORP
Herstellerteil #:

QM3816N6
Datenblatt:

QM3816N6 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Contact Manufacturer
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

59.5 mJ
Case Connection:

SOURCE
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QM3816N6 Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0073ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN-8

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	59.5 mJ
Case Connection	SOURCE	Configuration	SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	13 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0073 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-N5	Number of Elements	2
Number of Terminals	5	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	102 A
Surface Mount	YES	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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