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Siehe Technische Spezifikationen

QPD1011SR +BOM

RF JFET Transistors .03-1.2GHz 7W 50V GaN

Hersteller:

Qorvo
Herstellerteil #:

QPD1011SR
Datenblatt:

QPD1011SR Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

HEMT
Technology:

GaN SiC
Operating Frequency:

30 MHz to 1.2 GHz
Gain:

21 dB
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an QPD1011SR

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen QPD1011SR-Treiber von Qorvo an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung QPD1011SR.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	HEMT
Technology	GaN SiC	Operating Frequency	30 MHz to 1.2 GHz
Gain	21 dB	Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	50 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	145 V
Id - Continuous Drain Current	1.46 A	Output Power	8.7 W
Maximum Drain Gate Voltage	55 V	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Pd - Power Dissipation	13 W
Mounting Style	SMD/SMT	Development Kit	QPD1011EVB01
Forward Transconductance - Min	-	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	RF JFET Transistors	Series	QPD1011
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Part # Aliases	QPD1011

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