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Siehe Technische Spezifikationen

QPD1425 +BOM

RF MOSFET Transistors 1.2-1.4 GHz discrete

Hersteller:

Qorvo
Herstellerteil #:

QPD1425
Datenblatt:

QPD1425 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

P-Channel
Technology:

GaN SiC
Id - Continuous Drain Current:

19 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

65 V

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen QPD1425-Treiber von Qorvo an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung QPD1425.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	P-Channel
Technology	GaN SiC	Id - Continuous Drain Current	19 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	65 V	Operating Frequency	2 GHz
Gain	20.6 dB	Output Power	56.3 dBm
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Mounting Style	Flange Mount	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	RF MOSFET Transistors	Subcategory	MOSFETs

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