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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

QS5U17TR +BOM

MOSFET N-CH 30V 2A

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

QS5U17TR
Datenblatt:

QS5U17TR Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an QS5U17TR

QS5U17TR Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	100 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	500 mV
Qg - Gate Charge	3.9 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Channel Mode	Enhancement	Series	QS5U17
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Height	0.85 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	21 ns	Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	QS5U17
Unit Weight	0.000353 oz

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