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Siehe Technische Spezifikationen

QS6J1TR +BOM

MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

QS6J1TR
Datenblatt:

QS6J1TR Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 P-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

20V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an QS6J1TR

QS6J1TR Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 10V	Power - Max	1.25W
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	QS6J1

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