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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

QS8J5TR +BOM

Compact surface mount design ideal for modern PCB

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

QS8J5TR
Datenblatt:

QS8J5TR Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 P-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

30V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an QS8J5TR

QS8J5TR Allgemeine Beschreibung

The QS8J5TR product boasts complex type MOSFETs (P+P) that are specifically crafted to minimize ON-resistance by leveraging state-of-the-art micro-processing technologies. This makes the product highly versatile, catering to a wide array of applications. Additionally, the lineup includes compact types, high-power types, and complex types, ensuring a comprehensive solution for various market requirements

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	39mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 10V	Power - Max	600mW
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	QS8J5

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