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Siehe Technische Spezifikationen

R6006JNXC7G +BOM

This Transistor features a powerful current handling capacity

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

R6006JNXC7G
Datenblatt:

R6006JNXC7G Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

R6006JNXC7G Allgemeine Beschreibung

Meet the R6006JNX power MOSFET - a cutting-edge solution for your switching needs. Featuring industry-leading reverse recovery time (trr), this PrestoMOS™ series device is designed to optimize efficiency and reliability in a variety of applications. From EV charging stations to motor drives in home appliances, the R6006JNX offers unmatched performance and versatility

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	936 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	5 V
Qg - Gate Charge	15.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	43 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	27 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	14 ns	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns	Typical Turn-On Delay Time	16 ns
Part # Aliases	R6006JNX	Unit Weight	0.068784 oz

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