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Siehe Technische Spezifikationen

R6520KNX3C16 +BOM

N-Channel 650 V 20A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-220AB

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

R6520KNX3C16
Datenblatt:

R6520KNX3C16 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

20A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

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R6520KNX3C16 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 650 V 20A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-220AB

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	205mOhm @9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 630µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1550 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	220W (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	R6520	Product Category:	MOSFET
Technology:	Si	Mounting Style:	Through Hole
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V	Id - Continuous Drain Current:	20 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	205 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5 V	Qg - Gate Charge:	40 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	220 W	Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Tube	Configuration:	Single
Fall Time:	30 ns	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	50 ns	Factory Pack Quantity:	50
Subcategory:	MOSFETs	Typical Turn-Off Delay Time:	75 ns
Typical Turn-On Delay Time:	30 ns	Part # Aliases:	R6520KNX3

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