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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

R6020FNX +BOM

Ideal for applications requiring low voltage drop and high efficiency

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

R6020FNX
Datenblatt:

R6020FNX Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

26.7 mJ
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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R6020FNX Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FM, 3 PIN

Hauptmerkmale

1) Fast reverse recovery time (trr)
2) Low on-resistance.
3) Fast switching speed.
4) Gate-source voltage
VGSS garanteed to be ±30V .
5) Drive circuits can be simple.
6) Parallel use is easy.

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Not Recommended	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	26.7 mJ
Case Connection	ISOLATED	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	600 V	Drain Current-Max (ID)	20 A
Drain-source On Resistance-Max	0.25 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	80 A	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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