Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

R6524KNX3C16 +BOM

MOSFET 650V 24A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

R6524KNX3C16
Datenblatt:

R6524KNX3C16 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

24A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an R6524KNX3C16

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

R6524KNX3C16 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 650 V 24A (Tc) 253W (Tc) Through Hole TO-220AB

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	185mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 750µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1850 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	253W (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	R6524	Pin Count	3
Released Date	Sep 16, 2022	Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..