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Siehe Technische Spezifikationen

S9013-H-AP +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA 150MHz 625 mW Through Hole TO-92

Hersteller:

Micro Commercial Co
Herstellerteil #:

S9013-H-AP
Datenblatt:

S9013-H-AP Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

600mV @ 50mA, 500mA
EDA/CAD Modelle:

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S9013-H-AP Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA 150MHz 625 mW Through Hole TO-92

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 50mA, 500mA	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	144 @ 50mA, 1V	Power - Max	625 mW
Frequency - Transition	150MHz	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	S9013

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