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Siehe Technische Spezifikationen

SDTC114EET1G +BOM

NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

SDTC114EET1G
Datenblatt:

SDTC114EET1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

463-01
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Mounting Style:

SMD/SMT
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SDTC114EET1G

SDTC114EET1G Allgemeine Beschreibung

The SDTC114EET1G power transistor from ON Semiconductor is a reliable component for various electronic applications. With its NPN bipolar junction transistor configuration, it offers efficient power management capabilities. Housed in a compact SOT-223 package, this transistor is easy to integrate onto a circuit board, thanks to its three leads for soldering

Hauptmerkmale

Fully protected against overcurrent
Robust construction for high reliability
Low thermal resistance ensured
High surge withstand capability guaranteed
Safe operating temperature range defined
Excellent electromagnetic compatibility

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	463-01
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Mounting Style	SMD/SMT
Series	DTC114EE	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Qualification	AEC-Q101	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Unit Weight	0.000088 oz

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