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Siehe Technische Spezifikationen

SGP10N60A +BOM

Silicon-based semiconductor for power switching applications

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

SGP10N60A
Datenblatt:

SGP10N60A Datenblatt (PDF)
Number Of Pins:

3
Collector Emitter Breakdown Voltage:

600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO):

600 V
Element Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SGP10N60A

SGP10N60A Allgemeine Beschreibung

The SGP10N60A N-channel IGBT is the epitome of excellence in high-power applications. With a voltage rating of 600V and a continuous current rating of 10A, this semiconductor device shines in a multitude of power electronic circuits and systems, thanks to its TO-220 package. Its low on-state voltage drop and fast switching speeds enable efficient power conversion and control, while its high input impedance simplifies drive with low power signals. Widely used in motor drives, power supplies, inverters, and welding equipment, the SGP10N60A is celebrated for its high reliability and rugged construction, making it the top choice for demanding industrial environments

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Number of Pins	3	Collector Emitter Breakdown Voltage	600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)	600 V	Element Configuration	Single
Max Collector Current	20 A	Max Operating Temperature	150 °C
Max Power Dissipation	92 W	Min Operating Temperature	-55 °C

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