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SGW30N60HS +BOM

High Speed NPT Technology IGBT Transistors rated at 600 Volts and 30 Amps

SGW30N60HS Allgemeine Beschreibung

Combining high voltage capability with rapid switching speed, the SGW30N60HS is a versatile component suitable for a wide range of industrial applications. Its TO-247 package design offers low thermal resistance, enabling effective heat dissipation and reliable operation even in challenging environments. This robust transistor also includes an integrated free-wheeling diode, further enhancing its efficiency and overall performance in power-intensive tasks

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Hauptmerkmale

  • Advanced thermal management
  • Precise temperature control
  • Silicon-based construction
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Anwendung

  • Top performance in switching
  • Efficient energy control
  • Reliable electric power
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Spezifikationen

Product Category IGBT Transistors Technology Si
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series SGW30N60 Continuous Collector Current Ic Max 41 A
Height 20.95 mm Length 15.9 mm
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 240
Subcategory IGBTs Width 5.3 mm
Part # Aliases SGW30N60HSXK SP000013770 SGW30N60HSFKSA1 Unit Weight 1.340411 oz

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Bewertungen und Rezensionen

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S**l 05.03.2023

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