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SGW30N60 TO-247-3

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SGW30N60 TO-247-3

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SGW30N60 +BOM

The SGW30N60 from Infineon is an IGBT Transistor designed to handle currents up to 41A and voltages up to 600V

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

SGW30N60
Datenblatt:

SGW30N60 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SGW30N60

SGW30N60 Allgemeine Beschreibung

In addition to its robust design, the SGW30N60 also boasts a range of built-in protection features that guarantee safe operation under varying conditions. From short-circuit to overcurrent and overtemperature protection, this power module has you covered. Plus, its low saturation voltage and minimal switching losses contribute to enhanced efficiency and reduced heat generation, leading to a more cost-effective and reliable solution for your power switching needs

sgw30n60

sgw30n60

Hauptmerkmale

Precise current sensing and monitoring
Overcurrent protection for safe operation
Robust against temperature variations

sgw30n60

sgw30n60

Anwendung

Powerful motor control
Efficient power factor
Reliable UPS system
Advanced inverter technology
Precise welding equipment
Energy-saving ballasts

sgw30n60

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SGW30N60	Continuous Collector Current Ic Max	41 A
Height	20.95 mm	Length	15.9 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	IGBTs	Width	5.3 mm
Part # Aliases	SGW3N6XK SP000012467 SGW30N60FKSA1	Unit Weight	1.340411 oz

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G**n 08.18.2022

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