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SI2301CDS-T1-BE3 +BOM

P-Channel 20 V 2.3A (Ta), 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

SI2301CDS-T1-BE3
Datenblatt:

SI2301CDS-T1-BE3 Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2301CDS-T1-BE3

SI2301CDS-T1-BE3 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 20 V 2.3A (Ta), 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hauptmerkmale

1. Package type: SOT-23
2. Drain-Source Voltage (Vdss): 20 V
3. Drain-Source Current (Id): 2.1 A
4. Continuous Drain Current (Id) at 25°C: 1.9 A
5. Gate-Source Voltage (Vgs): ± 20 V
6. Low on-resistance (Rds(on)) for efficient power management
7. Fast switching speed for improved performance
8. Low threshold voltage for easy drive circuit compatibility

Anwendung

1. Power management in portable devices
2. Battery charging circuits
3. DC-DC converters
4. Switching regulators
5. Load switches
6. Motor control circuits
7. LED lighting control
8. Power supply switch

Spezifikationen

Series	-	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Ta), 3.1A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112mOhm @ 2.8A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	405 pF @ 10 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	860mW (Ta), 1.6W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount

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