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Siehe Technische Spezifikationen

SI2303BDS-T1-E3 +BOM

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.49A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SI2303BDS-T1-E3
Datenblatt:

SI2303BDS-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Tradename:

TrenchFET
Series:

SI2
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

The SI2303BDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET that operates at 30 volts with a continuous drain current of 1.49A. This small signal field-effect transistor is designed for use in various electronic applications where efficient power management is crucial. With its TO-236 packaging, this silicon-based FET offers reliable performance and durability

Hauptmerkmale

Halogen-free Option Available

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2303BDS-E3
Unit Weight	0.000282 oz

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