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Siehe Technische Spezifikationen

SI2304DDS-T1-GE3 +BOM

Features include a voltage rating of 30V, a current rating of 3.6A, power dissipation of 1.7W, and a low on-resistance of 60mohm at 10V

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SI2304DDS-T1-GE3
Datenblatt:

SI2304DDS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hauptmerkmale

Fault-tolerant operation
Reduced electromagnetic interference
Enhanced shock resistance

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	3.6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	60 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V
Qg - Gate Charge	6.7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.7 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	5 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	12 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	10 ns	Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Part # Aliases	SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-GE3	Unit Weight	0.000282 oz

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