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Siehe Technische Spezifikationen

SI2319DS-T1-GE3 +BOM

MOSFET with a voltage rating of 40V, current capacity of 3.0A, power dissipation of 1.25W, and a low on-resistance of 82mohm at 10V

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SI2319DS-T1-GE3
Datenblatt:

SI2319DS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

The SI2319DS-T1-GE3 P-channel MOSFET transistor is a versatile component suitable for a variety of electronic applications. With a continuous drain current rating of -2.3A and a drain-source voltage limit of -40V, this MOSFET delivers reliable performance in voltage regulation and power management circuits. The on-resistance Rds(on) is specified at 65mohm, with a test voltage of -10V, ensuring efficient current flow and minimal power losses. The threshold voltage Vgs Typ is -3V, making it ideal for low-power applications that require precise voltage control. Moreover, with a power dissipation rating of 750mW, this P-channel MOSFET transistor can handle moderate power levels while maintaining stable operation

Hauptmerkmale

None

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	2.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	82 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	11.3 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	750 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	25 ns	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	15 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns	Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-GE3
Unit Weight	0.000282 oz

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