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SI2323CDS-T1-GE3 +BOM

MOSFET with P-Channel and 20 V Drain-Source

SI2323CDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

Product SI2323CDS-T1-GE3 is a P channel MOSFET designed for applications where a low voltage, high current switch is required. With a continuous drain current of -6A and a drain source voltage of -20V, this MOSFET offers a low on resistance of 0.032ohm at a test voltage of -4.5V. With a power dissipation of 2.5W, it can operate reliably in a wide temperature range from -55°C to 150°C. The SOT-23 case style makes it compact and easy to integrate into circuit designs, with only 3 pins for simplified connections

Hauptmerkmale

  • None
  • Anwendung

    Load Switch |PA Switch |DC/DC Converters

    Spezifikationen

    Product Category MOSFET Technology Si
    Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity P-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
    Id - Continuous Drain Current 6 A Rds On - Drain-Source Resistance 39 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
    Qg - Gate Charge 9 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
    Series SI2 Configuration Single
    Fall Time 12 ns Height 1.45 mm
    Length 2.9 mm Product Type MOSFET
    Rise Time 23 ns Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time 40 ns Typical Turn-On Delay Time 15 ns
    Width 1.6 mm Part # Aliases SI2323CDS-T1-BE3 SI2323CDS-GE3
    Unit Weight 0.000282 oz

    Servicerichtlinien und andere

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