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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI2374DS-T1-BE3 +BOM

High-power transistor for efficient current control

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SI2374DS-T1-BE3
Datenblatt:

SI2374DS-T1-BE3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2374DS-T1-BE3

SI2374DS-T1-BE3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 20 V 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	5.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	30 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	7.7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.7 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	10 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	23 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	16 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Part # Aliases	SI2374DS-T1-GE3	Unit Weight	0.000282 oz

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