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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI2392BDS-T1-GE3 +BOM

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

SI2392BDS-T1-GE3
Datenblatt:

SI2392BDS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2392BDS-T1-GE3

SI2392BDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 2A (Ta), 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hauptmerkmale

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	2.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	180 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	4.7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.7 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	5 ns	Forward Transconductance - Min	12 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	15 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time	13 ns	Typical Turn-On Delay Time	15 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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