Bezahlverfahren
SI7129DN-T1-GE3 +BOM
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
PowerPAK-1212-8-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
SI7129DN-T1-GE3
-
Datenblatt:
-
FET Type:
P-Channel
-
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
35A (Tc)
-
EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 4644 Stck
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SI7129DN-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:35A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.8V; Power Dissipation:52.1W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Vishay SI7129DN-T1-GE3.
Hauptmerkmale
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 14.4A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3345 pF @ 15 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) |
Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
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In Stock: 4.644
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | $0,383 | $0,38 |
10+ | $0,306 | $3,06 |
30+ | $0,272 | $8,16 |
100+ | $0,230 | $23,00 |
500+ | $0,211 | $105,50 |
1000+ | $0,201 | $201,00 |
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